La fabrication et la caractérisation de nanofils de silicium à basse température (≤300 °C) a été menée suivant deux approches: par la méthode des espaceurs et par la méthode de croissance Solide Liquide Solide (SLS). La synthèse des nanofils de silicium a été étudiée à l'aide de deux technologies de dépôts: le dépôt CVD assisté par plasma (PECVD) et le dépôt à couplage inductif (ICP CVD). Les études ont démontré la faisabilité des nanofils de silicium par le procédé ICP-CVD. De plus, les propriétés d'isolation électrique des couches de SiO2 et la fabrication de transistors à effet de champ à couche mince ont été démontrées à l'aide de la technologie de dépôt plasma ICP. Par ailleurs, des nanofils de silicium ont été synthétisés par le procédé SLS à 250 ° C utilisant l'indium comme catalyseur. La croissance 3D de ces nanofils à partir de substrats de silicium (film mince de silicium monocristallin ou amorphe) a été démontrée. Les nanofils sont obtenus sous plasma d'hydrogène. Des études ont été menées en fonction de l'épaisseur de l'indium déposé, de la durée et de la température du plasma d'hydrogène. Les résultats originaux obtenus permettent d'envisager la possibilité de fabriquer des dispositifs électroniques à base de ces nanofils de silicium sur des substrats flexibles basse température.