Les Oscillateurs Opto-Electroniques (OEO) permettent la génération par voie optique de signaux ultra-pures dans le domaine des micro-ondes, et commencent à être déployés dans différents systèmes, y compris les systèmes de guerre électronique (RADAR, échantillonnage optique). Toutefois la taille des OEOs empêche leur intégration dans des systèmes exigeants en termes de SWaP (size, weight and power consumption). A ce propos, les technologies d’intégration des Circuits Intégrés Photoniques (PICs) offrent la possibilité de fabriquer des composants avec différentes fonctions optiques sur la même puce, avec des avantages sensibles pour la compacité. L’objectif de la thèse est l’étude des performances d’un OEO intégré, dont nous en proposons une architecture avec un PIC hybride InP/SiN. Le Phosphure d'Indium (InP) est le substrat choisi pour la fabrication des composants actifs, notamment diodes laser (DFB), amplificateurs optiques (SOA), modulateurs à électro-absorption (EAM) et des photodiodes (PD). Ces composants sont fabriqués dans une plateforme de fabrication consolidée du III- V Lab. Le PIC passif est fabriqué sur une plateforme Silicon- on-insulator (SOI) avec des guides en Nitrure de Silicium (SiN) pour atteindre des faibles pertes de propagation, développée dans le cadre de cette thèse avec le CEA-Leti de Grenoble. Ces PICs incluent des lignes à retard, pour remplacer la fibre optique, mais aussi des résonateurs en anneau pour la fonction de filtrage électrique. Une étude expérimentale a permis de valider les différentes briques de l’architecture proposée.