Cette thèse était axée sur le développement de méthodes innovantes pour la préparation de couches minces de séléniure de cuivre (Cu₂Se) et de séléniure d’argent (Ag₂Se). L'objectif est d'obtenir des dispositifs thermoélectriques à couches minces (TFTED) flexibles à haute performance. Les couches minces de Cu₂Se ont été préparées par la méthode de couches empilées et aussi la méthode d’implantation des ions/atomes de Cu, respectivement basées sur les techniques de pulvérisation de magnétron et d’évaporation thermique. Grâce à l’optimisation des procédés de préparation, on a pu obtenir de façon reproductible des couches de Cu₂Se de haute qualité avec un facteur de puissance maximal de 5,30 μWcm-1K-2. Un TFTED flexible avec 10 groupes de couches de Cu₂Se à une connexion a été fabriqué avec une puissance de sortie maximale de 3,31 nW. Ensuite, des couches de Ag₂Se à haute performance utilisant la méthode de co-évaporation thermique ont été préparées. La couche mince de Ag₂Se avec une orientation très préférentielle en (00l) a été fabriquée en ajustant la concentration du dopage au Te, et le facteur de puissance de cette couche était de 25,2 µWcm-1K-2. Le dispositif thermoélectrique flexible à base de Ag₂Se avec 8 jonctions a une puissance de sortie maximale de 63,3 nW. Enfin, un dispositif thermoélectrique avec une structure multicouche innovante a été fqabriqué et caractérisé, démontrant l'intérêt de cette structure pour la fabrication de dispositifs performants et hautement intégrables avec un faible coût de préparation et une grande stabilité thermique.