Université de Rennes 1 Maîtrise du report et de la polarisation optique de diodes de puissance InP 14xx nm brasées p-down Control of the bonding and optical polarization of p-down bonded InP 14xx nm power diodes Laser de pompepolarisation optiquereport p-downcontrainte mécaniquemode optique Pump laseroptical polarizationp-down bondedmechanical stressoptical mode Polarisation (lumière) Lasers Dans le domaine des télécommunications, l'amplification Raman nécessite des lasers de pompe émettant de fortes puissances et un taux de polarisation très élevé. Les travaux présentés ici ont pour objectif principal, la caractérisation électro-optique des lasers de pompe InP émettant dans la gamme 1400-1500 nm et reportés « p-down » sur leur embase. Nous présentons, à travers différents moyens de caractérisation, une étude comparative permettant de comprendre quelles sont les étapes et les conditions du report qui influent sur la performance et la qualité de la polarisation optique de ces composants. Nous avons démontré que les contraintes induites lors de certaines étapes de l’assemblage, peuvent affecter la polarisation en dessous et au-dessus du courant de seuil du laser. Il est possible de minimiser cet impact en modifiant certains paramètres lors du report, comme l’outil ou la température du cycle d’intégration en module. Une étude du faisceau laser et de son champ proche résolue en polarisation, nous a permis d’analyser la distribution spatiale du mode fondamental TE, répartie selon ses deux composantes de polarisation, Ex et Ey. Enfin, l’utilisation de la mesure du degré de polarisation linéaire de la photoluminescence (DOLP), nous a permis de visualiser les déformations anisotropes induites sur la facette émettrice des lasers par ces différents procédés. In the field of telecommunications, Raman amplification requires very high-power pump lasers and a very high polarization rate. The work presented here is focused on the electro-optical characterization of InP pump lasers emitting in the 1400-1500 nm range and "p-down" bonded on their submount. We present, through different means of characterization, a comparative study allowing to understand which are the steps and the conditions of the bonding process which influence the performance and the quality of the optical polarization of these components. We demonstrate that the stresses induced during certain assembly steps can affect the polarization below and above the laser threshold current. It is possible to minimize this impact by modifying some parameters during the process, such as the tool or the temperature of the packaging process. A study of the laser beam and its polarization-resolved near-field allowed us to analyze the spatial distribution of the fundamental TE mode, divided into its two polarization components, Ex and Ey. Finally, the use of the measurement of the degree of linear polarization of the photoluminescence (DOLP), allowed us to visualize the anisotropic deformations induced on the emitting facet of the lasers by these various processes. Electronic Thesis or DissertationText fr application/pdf1 : 7140 Kohttps://ged.univ-rennes1.fr/nuxeo/site/esupversions/a00cc18a-8aa6-482c-bff0-45d1222b5a5d Gérard Solène 1995-03-03 FR 275599884 solene.sgr@gmail.com 2023URENS073 http://www.theses.fr/2023URENS073 2023-01-12 Composants et dispositifs pour l’électronique et la photonique Université de Rennesthesis.degree.grantor_1 26693823X Doctorat non ouiLandesmanJean-Pierreintervenant_1083767746LaruelleFrançoisintervenant_2172136547Jiménez López‎Juan Ignaciointervenant_3118370375CarrèreHélèneintervenant_5073944459VicetAuroreintervenant_6112636713StarckChristopheintervenant_7263068811BechouLaurentintervenant_4133795659DupontSamuelintervenant_8122673131 Matière, Molécules et MatériauxecoleDoctorale_1 FOTON partenaireRecherche_1 12866357X ddc:530 LandesmanJean-PierreLaruelleFrançoisJiménez López‎Juan IgnacioBechouLaurentCarrèreHélèneVicetAuroreStarckChristopheDupontSamuelUniversité de RennesMatière, Molécules et Matériaux FOTON ASCII PDF 7311474 restriction 2023-01-12 2028-01-12 confidentialité 2023-01-12 2028-01-12 restriction 2023-01-12 2028-01-12