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     <dc:title xml:lang="fr">Préparation et caractérisation de couches minces et de dispositifs thermoélectriques flexibles à base de Cu₂Se ou de Ag₂Se</dc:title>
     <dcterms:alternative xml:lang="en">Preparation and characterization of thin films and flexible thermoelectrical devices based on Cu₂Se or Ag₂Se</dcterms:alternative>
     <dc:subject xml:lang="fr">Matériaux thermoélectriques</dc:subject><dc:subject xml:lang="fr">film mince</dc:subject><dc:subject xml:lang="fr">séléniure de cuivre</dc:subject><dc:subject xml:lang="fr">séléniure d’argent</dc:subject><dc:subject xml:lang="fr">dispositif thermoélectrique</dc:subject>
     <dc:subject xml:lang="en">Thermoelectric materials</dc:subject><dc:subject xml:lang="en">Thin film</dc:subject><dc:subject xml:lang="en">Copper selenide</dc:subject><dc:subject xml:lang="en">Silver selenide</dc:subject><dc:subject xml:lang="en">Thermoelectric device</dc:subject>
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     <dcterms:abstract xml:lang="fr">Cette thèse était axée sur le développement de méthodes innovantes pour la préparation de couches minces de séléniure de cuivre (Cu₂Se) et de séléniure d’argent (Ag₂Se). L'objectif est d'obtenir des dispositifs thermoélectriques à couches minces (TFTED) flexibles à haute performance. Les couches minces de Cu₂Se ont été préparées par la méthode de couches empilées et aussi la méthode d’implantation des ions/atomes de Cu, respectivement basées sur les techniques de pulvérisation de magnétron et d’évaporation thermique. Grâce à l’optimisation des procédés de préparation, on a pu obtenir de façon reproductible des couches de Cu₂Se de haute qualité avec un facteur de puissance maximal de 5,30 μWcm-1K-2. Un TFTED flexible avec 10 groupes de couches de Cu₂Se à une connexion a été	fabriqué avec une puissance de sortie maximale de 3,31 nW. Ensuite, des couches de Ag₂Se à haute performance utilisant la méthode de co-évaporation thermique ont été préparées. La couche mince de Ag₂Se avec une orientation très préférentielle en (00l) a été fabriquée en ajustant la concentration du dopage au Te, et le facteur de puissance de cette couche était de 25,2 µWcm-1K-2. Le dispositif thermoélectrique flexible à base de Ag₂Se avec 8 jonctions a une puissance de sortie maximale de 63,3 nW. Enfin, un dispositif thermoélectrique avec une structure multicouche innovante a été fqabriqué et caractérisé, démontrant l'intérêt de cette structure pour la fabrication de dispositifs performants et hautement intégrables avec un faible coût de préparation et une grande stabilité thermique.</dcterms:abstract>
     <dcterms:abstract xml:lang="en">This thesis was focused on the development of innovative thin film preparation methods of copper selenide (Cu₂Se) and silver selenide (Ag¬2Se) thin films for preparing high-performance thin film thermoelectric device (TFTED). The Cu₂Se thin films were prepared by stacked thermal reaction method and Cu ion/atom implantation reaction method, respectively based on magnetron sputtering and thermal evaporation techniques. Through the optimization of the preparation process, high quality Cu₂Se films with a maximum power factor of 5.30 μWcm-1K-2 was reproducibly obtained. Flexible TFTED with 10 	groups of single-leg Cu₂Se films was fabricated with a maximum output power of 3.31 nW. Secondly, high-performance Ag₂Se films using thermal co-evaporation method was prepared. The Ag₂Se thin film with high (00l) preferred orientation was fabricated by adjusting the Te-doping content, and the power factor of the film was increased to 25.2 µWcm-1K-2. The Ag₂Se flexible TFTED with eight thermoelectric junctions had a maximum output power of 63.3 nW. Lastly, a novel multilayer structure of TFTED was fabricated and tested, revealing a promising new structure that can be used for fabricating highly integrated and high-performance thin-film devices with a low preparation cost and a high thermal stability.</dcterms:abstract>
     <dc:type>Electronic Thesis or Dissertation</dc:type><dc:type xsi:type="dcterms:DCMIType">Text</dc:type>
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