Université de Rennes 1 Hétérostructure graphène / silicium : de la formation de l'interface aux propriétés de transport électronique Graphene / silicon heterostructure: from interface formation to electronic transport properties Physique des semi-conducteurContact SchottkyInterface métal/semi-conducteur Graphene / silicon heterostructure Semiconducteurs Interfaces (sciences physiques) Propriétés électroniques Graphène Silicium L’interface graphène/silicium présente un intérêt pour des domaines diverses et variés tels que le photovoltaïque, l’électronique et l’électronique de spin pour ne citer qu’eux. Ce travail de thèse, basé sur la combinaison de mesures de photoémission, de transports et de calculs DFT permet une meilleure compréhension des propriétés électroniques de cette interface ainsi que des mécanismes associés à la formation de la barrière Schottky. Nous mettons en évidence un désancrage du niveau de Fermi à l’interface graphène/silicium ou métal/graphène/silicium. Cela implique que la hauteur de la barrière Schottky peut être contrôlée par modification du travail de sortie du graphène. Les calculs DFT révèlent que ce non-ancrage du niveau de Fermi à l’interface graphène/silicium résulte d’une faible densité d’états induit dans la bande interdite du silicium par le graphène. Nous montrons que ce phénomène est principalement associé à la structure de bande du graphène dont les électrons proches du niveau de Fermi sont en bord de zone de Brillouin conduisant à une longueur d’évanescence des fonctions d’ondes électroniques faible comparée aux métaux classiques. La levée de l’ancrage du niveau de Fermi à l’interface métal/silicium par addition à l’interface d’un feuillet de graphène nous a permis d’obtenir des structures métal/graphène/silicium intéressantes pour l’électronique de spin. The graphene / silicon interface is of interest to diverse fields such as photovoltaics, electronics and spin electronics to name a few. This thesis work, based on the combination of photoemission measurements, transport and DFT calculations, allows a better understanding of the electronic properties of this interface as well as of the mechanisms associated with the formation of the Schottky barrier. We show a de-anchoring of the closure level at the graphene/silicon or metal/graphene/silicon interface. This implies that the height of the Schottky barrier can be controlled by modifying the work of exiting the graphene. DFT calculations reveal that this non-anchoring of the closure level at the graphene/silicon interface describes a low density of states induced in the bandgap of silicon by graphene. We show that this phenomenon is mainly associated with the structure of the graphene band whose electrons close to the closing level are at the edge of the Brillouin zone, leading to a low evanescence length of electronic functions compared to classical metals. The removal of the anchoring of the closure level at the metal / silicon interface by addition to the interface of a graphene sheet has enabled us to obtain interesting metal/graphene/silicon structures for spin electronics. Electronic Thesis or DissertationText fr application/pdf1 : 9323 Kohttps://ged.univ-rennes1.fr/nuxeo/site/esupversions/11246ae1-0756-4f98-a3aa-707c637a95c7 Courtin Jules 1993-07-16 FR 254490921 jules.courtin@outlook.com 2020REN1S048 http://www.theses.fr/2020REN1S048 2020-12-14 Physique Universite de Rennes 1thesis.degree.grantor_1 02778715X Doctorat non ouiSchiefferPhilippeintervenant_1120181088Le BretonJean-Christopheintervenant_2120180812 Matière, Molécules et MatériauxecoleDoctorale_1 204761115 Institut de Physique de Rennes partenaireRecherche_1 16177525X ddc:530 SchiefferPhilippeLe BretonJean-ChristopheUniversite de Rennes 1Sciences et technologie, medecine, pharmacie, odontologie, droit, economie, gestion, philosophieMatière, Molécules et MatériauxÉcole doctorale Matière, Molécules et Matériaux (Le Mans) Institut de Physique de Rennes ASCII PDF 9546279